Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - bipolaarne (BJT) - massiivid, eelhi > RN2911,LF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
435428RN2911,LF piltToshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.051
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    RN2911,LF
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    RN2911,LF.pdf
  • Pinge - koguja emitteri jaotus (max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistori tüüp
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Pakkuja seadme pakett
    US6
  • Seeria
    -
  • Takisti - emitteri alus (R2)
    -
  • Takisti - alus (R1)
    10 kOhms
  • Võimsus - maks
    200mW
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    RN2911,LF(CB
    RN2911,LF(CT
    RN2911LF(CTTR
    RN2911LF(CTTR-ND
    RN2911LFTR
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sagedus - üleminek
    200MHz
  • Täpsem kirjeldus
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC voolu võimendus (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 5V
  • Praegune - koguja piiramine (max)
    100nA (ICBO)
  • Praegune - koguja (Ic) (maksimaalne)
    100mA

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "RN2911,LF" seotud tooted.
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2963FE(TE85L,F)

RN2963FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2911(T5L,F,T)

RN2911(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2906FE(TE85L,F)

RN2906FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2965(TE85L,F)

RN2965(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2961(TE85L,F)

RN2961(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2964(TE85L,F)

RN2964(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2907FE,LF(CB

RN2907FE,LF(CB

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2961FE(TE85L,F)

RN2961FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2962(TE85L,F)

RN2962(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2962FE(TE85L,F)

RN2962FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2911FE(TE85L,F)

RN2911FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Kirjeldus: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.