Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TJ30S06M3L(T6L1,NQ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
449503

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2000+
$0.733
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (max)
    +10V, -20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    DPAK+
  • Seeria
    U-MOSVI
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    68W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Muud nimed
    TJ30S06M3L(T6L1NQ
    TJ30S06M3LT6L1NQ
  • Töötemperatuur
    175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3950pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    30A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "TJ30S06M3L(T6L1,NQ" seotud tooted.
NVTFS5811NLTAG

NVTFS5811NLTAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRFD9120PBF

IRFD9120PBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
FQPF6P25

FQPF6P25

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK7623-75A,118

BUK7623-75A,118

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
AOT15S60L

AOT15S60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
NP83P04PDG-E1-AY

NP83P04PDG-E1-AY

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Tootjad: Renesas Electronics America
Laos
RFQ
NTH027N65S3F-F155

NTH027N65S3F-F155

Kirjeldus: SF3 FRFET 650V 27MOHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NTR4101PT1H

NTR4101PT1H

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IRF1324STRLPBF

IRF1324STRLPBF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IPSH4N03LA G

IPSH4N03LA G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FCPF9N60NT

FCPF9N60NT

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AOT11C60L

AOT11C60L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
1HP04CH-TL-W

1HP04CH-TL-W

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G

Kirjeldus: TRENCH 8 80V NFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BSC037N08NS5ATMA1

BSC037N08NS5ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Tootjad: Infineon Technologies
Laos
RFQ
IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.