Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TK12E60W,S1VX
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3622960TK12E60W,S1VX piltToshiba Semiconductor and Storage

TK12E60W,S1VX

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
50+
$3.131
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TK12E60W,S1VX
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    TK12E60W,S1VX.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 600µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220
  • Seeria
    DTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 5.8A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    110W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    TK12E60W,S1VX(S
    TK12E60WS1VX
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    890pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    Super Junction
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TK12E60W,S1VX" seotud tooted.
TK13A55DA(STA4,QM)

TK13A55DA(STA4,QM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 12.5A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK13A45D(STA4,Q,M)

TK13A45D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12V60W,LVQ

TK12V60W,LVQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK1305800000G

TK1305800000G

Kirjeldus: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Tootjad: Anytek (Amphenol Anytek)
Laos
RFQ
TK13A50DA(STA4,Q,M

TK13A50DA(STA4,Q,M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A45D(STA4,Q,M)

TK12A45D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A50D(STA4,Q,M)

TK12A50D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 12A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12E80W,S1X

TK12E80W,S1X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A53D(STA4,Q,M)

TK12A53D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 525V 12A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A60D(STA4,Q,M)

TK12A60D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK1205800000G

TK1205800000G

Kirjeldus: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Tootjad: Anytek (Amphenol Anytek)
Laos
RFQ
TK12J60U(F)

TK12J60U(F)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO-3PN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A60U(Q,M)

TK12A60U(Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A60W,S4VX

TK12A60W,S4VX

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A80W,S4X

TK12A80W,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK13A50D(STA4,Q,M)

TK13A50D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A55D(STA4,Q,M)

TK12A55D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 550V 12A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12A50E,S4X

TK12A50E,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V TO220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK12P60W,RVQ

TK12P60W,RVQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.