Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TK30E06N1,S1X
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4433420TK30E06N1,S1X piltToshiba Semiconductor and Storage

TK30E06N1,S1X

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.14
50+
$0.881
100+
$0.767
500+
$0.568
1000+
$0.454
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TK30E06N1,S1X
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    TK30E06N1,S1X.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220
  • Seeria
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 15A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    53W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3
  • Muud nimed
    TK30E06N1,S1X(S
    TK30E06N1S1X
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1050pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    43A (Ta)

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Saatmine
Makse
Järgnev on "TK30E06N1,S1X" seotud tooted.
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3

TK3

Kirjeldus: TERMINAL KIT P184 10EA T49

Tootjad: Vector Electronics & Technology, Inc.
Laos
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Kirjeldus: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Kirjeldus: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3434

TK3434

Kirjeldus: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Tootjad: 3M
Laos
RFQ
TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.