Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TK3A60DA(Q,M)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3047034TK3A60DA(Q,M) piltToshiba Semiconductor and Storage

TK3A60DA(Q,M)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TK3A60DA(Q,M)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.TK3A60DA(Q,M).pdf
    2.TK3A60DA(Q,M).pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-220SIS
  • Seeria
    π-MOSVII
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    30W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-220-3 Full Pack
  • Muud nimed
    TK3A60DA(Q)
    TK3A60DA(Q)-ND
    TK3A60DA(QM)
    TK3A60DAQM
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    380pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TK3A60DA(Q,M)" seotud tooted.
TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK39A60W,S4VX

TK39A60W,S4VX

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3P50D,RQ(S

TK3P50D,RQ(S

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK380P60Y,RQ

TK380P60Y,RQ

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3R1P04PL,RQ

TK3R1P04PL,RQ

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK380A60Y,S4X

TK380A60Y,S4X

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK39N60W,S1VF

TK39N60W,S1VF

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3R1E04PL,S1X

TK3R1E04PL,S1X

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK39J60W,S1VQ

TK39J60W,S1VQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK39N60X,S1F

TK39N60X,S1F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3R1A04PL,S4X

TK3R1A04PL,S4X

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.