Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPC6006-H(TE85L,F)
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2802946

TPC6006-H(TE85L,F)

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TPC6006-H(TE85L,F)
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
    2.TPC6006-H(TE85L,F).pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    VS-6 (2.9x2.8)
  • Seeria
    U-MOSIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    75 mOhm @ 1.9A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    700mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    251pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.4nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 3.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    3.9A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TPC6006-H(TE85L,F)" seotud tooted.
TPC6.8AHM3_A/I

TPC6.8AHM3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC6011(TE85L,F,M)

TPC6011(TE85L,F,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC51AHM3_A/I

TPC51AHM3_A/I

Kirjeldus: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC6.8HM3/87A

TPC6.8HM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.5V 10.8V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC51AHM3/86A

TPC51AHM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC6111(TE85L,F,M)

TPC6111(TE85L,F,M)

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC6010-H(TE85L,FM

TPC6010-H(TE85L,FM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC51AHM3/87A

TPC51AHM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M)

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC51AHM3_A/H

TPC51AHM3_A/H

Kirjeldus: TVS DIODE 43.6V 70.1V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC6.8AHM3_A/H

TPC6.8AHM3_A/H

Kirjeldus: TVS DIODE SMPC TO-277A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC6.8AHM3/87A

TPC6.8AHM3/87A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TPC6.8AHM3/86A

TPC6.8AHM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC6009-H(TE85L,FM

TPC6009-H(TE85L,FM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC6110(TE85L,F,M)

TPC6110(TE85L,F,M)

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC6.8HM3/86A

TPC6.8HM3/86A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC SMPC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
TPC6104(TE85L,F,M)

TPC6104(TE85L,F,M)

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPC6107(TE85L,F,M)

TPC6107(TE85L,F,M)

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.