Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > TPH2R306NH,L1Q
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6688182TPH2R306NH,L1Q piltToshiba Semiconductor and Storage

TPH2R306NH,L1Q

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.34
10+
$3.018
100+
$2.425
500+
$1.886
1000+
$1.563
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    TPH2R306NH,L1Q
  • Tootja / bränd
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    TPH2R306NH,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SOP Advance (5x5)
  • Seeria
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 mOhm @ 30A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    1.6W (Ta), 78W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-PowerVDFN
  • Muud nimed
    TPH2R306NHL1QCT
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6100pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "TPH2R306NH,L1Q" seotud tooted.
TPH1110FNH,L1Q

TPH1110FNH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH14006NH,L1Q

TPH14006NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH3202PD

TPH3202PD

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH3206LDB

TPH3206LDB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH3202LD

TPH3202LD

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A PQFN

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH3205WSB

TPH3205WSB

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 36A TO247

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH3202PS

TPH3202PS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 150A SOP8

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N CH 80V 24A SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH3202LS

TPH3202LS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 9A PQFN

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
TPH1R204PL,L1Q

TPH1R204PL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 150A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 45V 150A

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q

Kirjeldus: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
TPH3205WSBQA

TPH3205WSBQA

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Tootjad: Transphorm
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.