Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N4937GPEHE3/91
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
63671001N4937GPEHE3/91 piltVishay Semiconductor Diodes Division

1N4937GPEHE3/91

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N4937GPEHE3/91
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N4937GPEHE3/91.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Pinge - jaotus
    DO-204AL (DO-41)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Box (TB)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    12pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    200ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    1N4937GPEHE3/91
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Dioodide seadistamine
    5µA @ 600V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.2V @ 1A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    600V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -50°C ~ 150°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N4937GPEHE3/91" seotud tooted.
1N4937GPE-E3/91

1N4937GPE-E3/91

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4937RLG

1N4937RLG

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4938

1N4938

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4937GP-M3/73

1N4937GP-M3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N4937GPEHE3/54

1N4937GPEHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4937GPHM3/54

1N4937GPHM3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N4937GPHE3/73

1N4937GPHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4937RL

1N4937RL

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4937GHR1G

1N4937GHR1G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
1N4938-1

1N4938-1

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 175V 100MA DO35

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N4938TR

1N4938TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4937GP-E3/73

1N4937GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4937GPE-E3/54

1N4937GPE-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N4937GP

1N4937GP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
1N4937L-T

1N4937L-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4937GP-E3/54

1N4937GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4937GL-T

1N4937GL-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4937L

1N4937L

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
1N4937GPHE3/54

1N4937GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4937GP-M3/54

1N4937GP-M3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.