Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5622GP-E3/54
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
67981881N5622GP-E3/54 piltVishay Semiconductor Diodes Division

1N5622GP-E3/54

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5622GP-E3/54
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N5622GP-E3/54.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Pinge - jaotus
    DO-204AC (DO-15)
  • Seeria
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    15pF @ 12V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Muud nimed
    1N5622GP-E3/54-ND
    1N5622GPE354
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    2µs
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    1N5622GP-E3/54
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Dioodide seadistamine
    500nA @ 1000V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.2V @ 1A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    1000V (1kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5622GP-E3/54" seotud tooted.
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5623GP-E3/54

1N5623GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5623US

1N5623US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
1N5624-TR

1N5624-TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5621

1N5621

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5621GP-E3/73

1N5621GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5622US

1N5622US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
1N5623

1N5623

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
1N5622C.TR

1N5622C.TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
1N5621GP-E3/54

1N5621GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5621GPHE3/54

1N5621GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5621US

1N5621US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5620US

1N5620US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5622GP-E3/73

1N5622GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5624GP-E3/54

1N5624GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5624-TAP

1N5624-TAP

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5624GP-E3/73

1N5624GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5620GPHE3/73

1N5620GPHE3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5623GPHE3/54

1N5623GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5622

1N5622

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Tootjad: Microsemi Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.