Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > 1N5626GP-E3/54
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
25615291N5626GP-E3/54 piltVishay Semiconductor Diodes Division

1N5626GP-E3/54

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    1N5626GP-E3/54
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1N5626GP-E3/54.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    3A
  • Pinge - jaotus
    DO-201AD
  • Seeria
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS staatus
    Cut Tape (CT)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    40pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-201AD, Axial
  • Muud nimed
    1N5626GP-E3/54GICT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    3µs
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    1N5626GP-E3/54
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Dioodide seadistamine
    5µA @ 600V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1V @ 3A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    600V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "1N5626GP-E3/54" seotud tooted.
1N5624GPHE3/54

1N5624GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5627GP-E3/54

1N5627GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5627GPHE3/54

1N5627GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5625GPHE3/54

1N5625GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5627-TAP

1N5627-TAP

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5629

1N5629

Kirjeldus: TVS DIODE 5.5V 10.8V DO13

Tootjad: Hamlin / Littelfuse
Laos
RFQ
1N5624GP-E3/54

1N5624GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5626GPHE3/54

1N5626GPHE3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5624GP-E3/73

1N5624GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5626-TR

1N5626-TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5626GP-E3/73

1N5626GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5627-TR

1N5627-TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 800V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5625GP-E3/54

1N5625GP-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5625-TR

1N5625-TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5625-TAP

1N5625-TAP

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5627GP-E3/73

1N5627GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
1N5625GP-E3/73

1N5625GP-E3/73

Kirjeldus: DIODE GEN PURPOSE DO204AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5629A

1N5629A

Kirjeldus: TVS DIODE 5.8V 10.5V DO13

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5629

1N5629

Kirjeldus: TVS DIODE

Tootjad: Microsemi
Laos
RFQ
1N5626-TAP

1N5626-TAP

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.