Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BY399P-E3/54
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6528019BY399P-E3/54 piltVishay Semiconductor Diodes Division

BY399P-E3/54

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BY399P-E3/54
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BY399P-E3/54.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    3A
  • Pinge - jaotus
    DO-201AD
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Cut Tape (CT)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    28pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-201AD, Axial
  • Muud nimed
    BY399P-E3/54GICT
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    500ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    BY399P-E3/54
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 800V 3A Through Hole DO-201AD
  • Dioodide seadistamine
    10µA @ 800V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.25V @ 3A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    800V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -50°C ~ 125°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BY399P-E3/54" seotud tooted.
BY329X-1500S,127

BY329X-1500S,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220F

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
BY359-1500,127

BY359-1500,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
BY329-1500S,127

BY329-1500S,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220AC

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
EGL34GHE3/83

EGL34GHE3/83

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BY329-1000,127

BY329-1000,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
GP10K-M3/54

GP10K-M3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
MBR40250T

MBR40250T

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 250V 40A TO220AB

Tootjad: ON Semiconductor
Laos
RFQ
BY398P-E3/54

BY398P-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BY359X-1500,127

BY359X-1500,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220F

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
BY397P-E3/54

BY397P-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N4050R

1N4050R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 275A DO205AB

Tootjad: Powerex, Inc.
Laos
RFQ
BY329-1200,127

BY329-1200,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
ESH1PB-M3/84A

ESH1PB-M3/84A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VSSB7L45-M3/5BT

VSSB7L45-M3/5BT

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 45V 3.8A DO214AA

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BY329X-1200,127

BY329X-1200,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220F

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
BY396P-E3/54

BY396P-E3/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5802US

1N5802US

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1.1A

Tootjad: Semtech
Laos
RFQ
BY329X-1500,127

BY329X-1500,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 6A TO220F

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
S15JC R7G

S15JC R7G

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 15A DO214AB

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
BY359X-1500S,127

BY359X-1500S,127

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.5KV 7A TO220F

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.