Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > BYG10GHM3/TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4550265BYG10GHM3/TR piltVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10GHM3/TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
12600+
$0.127
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BYG10GHM3/TR
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BYG10GHM3/TR.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1.5A
  • Pinge - jaotus
    DO-214AC (SMA)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    DO-214AC, SMA
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    4µs
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    14 Weeks
  • Tootja Partii number
    BYG10GHM3/TR
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Dioodide seadistamine
    1µA @ 400V
  • Kirjeldus
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    400V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17
Saatmine
Makse
Järgnev on "BYG10GHM3/TR" seotud tooted.
BYG10GHM3_A/I

BYG10GHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHM3_A/H

BYG10GHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHE3/TR3

BYG10GHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10J/TR

BYG10J/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHM3_A/I

BYG10DHM3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10G-M3/TR3

BYG10G-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10JHE3/TR3

BYG10JHE3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10JHE3/TR

BYG10JHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10J-E3/TR3

BYG10J-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10G-E3/TR

BYG10G-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHE3/TR

BYG10GHE3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10GHE3_A/I

BYG10GHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10G-M3/TR

BYG10G-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHM3/TR3

BYG10GHM3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BYG10J-M3/TR3

BYG10J-M3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10J-E3/TR

BYG10J-E3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10G-E3/TR3

BYG10G-E3/TR3

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10DHM3_A/H

BYG10DHM3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10J-M3/TR

BYG10J-M3/TR

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BYG10GHE3_A/H

BYG10GHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.