Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - Zener - üksikud > BZD27B51P-HE3-08
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5336709BZD27B51P-HE3-08 piltVishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B51P-HE3-08

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
30000+
$0.10
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    BZD27B51P-HE3-08
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    BZD27B51P-HE3-08.pdf
  • Pinge - isolatsioon
    60 Ohm
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, BZD27B
  • Võimsus - maks
    800mW
  • Polarisatsioon
    DO-219AB
  • Töötemperatuur
    -65°C ~ 175°C
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    12 Weeks
  • Tootja Partii number
    BZD27B51P-HE3-08
  • Impedants (max) (Zzt)
    51V
  • Laiendatud kirjeldus
    Zener Diode 800mW Surface Mount
  • ESR (samaväärse seeria takistus)
    -
  • Dioodide seadistamine
    1µA @ 39V
  • Kirjeldus
    DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.2V @ 200mA

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "BZD27B51P-HE3-08" seotud tooted.
BZD27B56P-M3-08

BZD27B56P-M3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B4V7P-M3-18

BZD27B4V7P-M3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B51P-M3-08

BZD27B51P-M3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B56P-HE3-18

BZD27B56P-HE3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BZD27B4V3P-M3-08

BZD27B4V3P-M3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.3V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B4V7P-HE3-18

BZD27B4V7P-HE3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BZD27B4V7P-E3-18

BZD27B4V7P-E3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B4V3P-M3-18

BZD27B4V3P-M3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.3V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B56P-E3-18

BZD27B56P-E3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B4V7P-E3-08

BZD27B4V7P-E3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B5V1P-E3-08

BZD27B5V1P-E3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 5.1V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B56P-M3-18

BZD27B56P-M3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B51P-M3-18

BZD27B51P-M3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B51P-E3-18

BZD27B51P-E3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B4V7P-HE3-08

BZD27B4V7P-HE3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BZD27B51P-E3-08

BZD27B51P-E3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B56P-E3-08

BZD27B56P-E3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B51P-HE3-18

BZD27B51P-HE3-18

Kirjeldus: DIODE ZENER 51V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
BZD27B4V7P-M3-08

BZD27B4V7P-M3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 4.7V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
BZD27B56P-HE3-08

BZD27B56P-HE3-08

Kirjeldus: DIODE ZENER 56V 0.8W DO-219AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.