Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > GL41A-E3/96
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2749546GL41A-E3/96 piltVishay Semiconductor Diodes Division

GL41A-E3/96

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1500+
$0.119
3000+
$0.109
7500+
$0.102
10500+
$0.096
37500+
$0.088
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    GL41A-E3/96
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.GL41A-E3/96.pdf
    2.GL41A-E3/96.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    1A
  • Pinge - jaotus
    DO-213AB
  • Seeria
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Muud nimed
    GL41A-E3/96-ND
    GL41AE396
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    21 Weeks
  • Tootja Partii number
    GL41A-E3/96
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Dioodide seadistamine
    10µA @ 50V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    50V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "GL41A-E3/96" seotud tooted.
GL41G-E3/96

GL41G-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41A/54

GL41A/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL4100

GL4100

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GL41B/54

GL41B/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41G-E3/97

GL41G-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41DHE3/96

GL41DHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41BHE3/96

GL41BHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41D/54

GL41D/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41D-E3/97

GL41D-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41A-E3/97

GL41A-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41AHE3/96

GL41AHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL4100E0000F

GL4100E0000F

Kirjeldus: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Tootjad: Sharp Microelectronics
Laos
RFQ
GL41DHE3/97

GL41DHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41G/54

GL41G/54

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41B-E3/97

GL41B-E3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41D-E3/96

GL41D-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41BHE3/97

GL41BHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41AHE3/97

GL41AHE3/97

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
GL41B-E3/96

GL41B-E3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
GL41GHE3/96

GL41GHE3/96

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.