Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > UH3D-M3/9AT
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3131702UH3D-M3/9AT piltVishay Semiconductor Diodes Division

UH3D-M3/9AT

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
7000+
$0.244
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    UH3D-M3/9AT
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    UH3D-M3/9AT.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    2.5A
  • Pinge - jaotus
    DO-214AB, (SMC)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    42pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisatsioon
    DO-214AB, SMC
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    40ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Partii number
    UH3D-M3/9AT
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 200V 2.5A Surface Mount DO-214AB, (SMC)
  • Dioodide seadistamine
    5µA @ 200V
  • Kirjeldus
    DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.05V @ 3A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    200V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15
Saatmine
Makse
Järgnev on "UH3D-M3/9AT" seotud tooted.
UH3C-M3/9AT

UH3C-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
UH3B-M3/57T

UH3B-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3BHE3_A/H

UH3BHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3DHE3_A/I

UH3DHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3D-E3/9AT

UH3D-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3B-M3/9AT

UH3B-M3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 2.5A DO214AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
UH3B-E3/9AT

UH3B-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3DHE3_A/H

UH3DHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
1N5398-T

1N5398-T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO15

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
UH3D-M3/57T

UH3D-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 2.5A DO214AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
UH3CHE3_A/H

UH3CHE3_A/H

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
RFN2L6STE25

RFN2L6STE25

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS

Tootjad: LAPIS Semiconductor
Laos
RFQ
EK 06W

EK 06W

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 60V 700MA AXIAL

Tootjad: Sanken Electric Co., Ltd.
Laos
RFQ
UH3D-E3/57T

UH3D-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3C-E3/9AT

UH3C-E3/9AT

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3C-M3/57T

UH3C-M3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO214AB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
UH3B-E3/57T

UH3B-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3C-E3/57T

UH3C-E3/57T

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
UH3BHE3_A/I

UH3BHE3_A/I

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.