Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > VS-10ETF12SPBF
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4629740VS-10ETF12SPBF piltVishay Semiconductor Diodes Division

VS-10ETF12SPBF

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.42
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    VS-10ETF12SPBF
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE RECT 1200V 10A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    VS-10ETF12SPBF.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    10A
  • Pinge - jaotus
    TO-263AB (D²PAK)
  • Seeria
    -
  • RoHS staatus
    Tube
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    VS10ETF12SPBF
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    310ns
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    10 Weeks
  • Tootja Partii number
    VS-10ETF12SPBF
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 10A Surface Mount TO-263AB (D²PAK)
  • Dioodide seadistamine
    100µA @ 1000V
  • Kirjeldus
    DIODE RECT 1200V 10A D2PAK
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.33V @ 10A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    1200V (1.2kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -40°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "VS-10ETF12SPBF" seotud tooted.
VS-10ETF12-M3

VS-10ETF12-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETS08FP-M3

VS-10ETS08FP-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220-2

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF10STRL-M3

VS-10ETF10STRL-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF10STRRPBF

VS-10ETF10STRRPBF

Kirjeldus: DIODE RECT 1000V 10A D2PAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-10ETF12FPPBF

VS-10ETF12FPPBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETS08S-M3

VS-10ETS08S-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF12FP-M3

VS-10ETF12FP-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF12STRRPBF

VS-10ETF12STRRPBF

Kirjeldus: DIODE RECT 1200V 10A D2PAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-10ETF12S-M3

VS-10ETF12S-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF12STRLPBF

VS-10ETF12STRLPBF

Kirjeldus: DIODE RECT 1200V 10A D2PAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-10ETS08PBF

VS-10ETS08PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETS08SPBF

VS-10ETS08SPBF

Kirjeldus: DIODE RECT 800V 10A D2PAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-10ETF12SLHM3

VS-10ETF12SLHM3

Kirjeldus: DIODES - D2PAK-E3

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETS08FPPBF

VS-10ETS08FPPBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220FP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF10STRR-M3

VS-10ETF10STRR-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1KV 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF12PBF

VS-10ETF12PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETS08-M3

VS-10ETS08-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 800V 10A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF12STRL-M3

VS-10ETF12STRL-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF12STRR-M3

VS-10ETF12STRR-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-10ETF10STRLPBF

VS-10ETF10STRLPBF

Kirjeldus: DIODE RECT 1000V 10A D2PAK

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.