Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > VS-EBU15006-F4
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5723612

VS-EBU15006-F4

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
375+
$3.958
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    VS-EBU15006-F4
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE GP 600V 150A POWERTAB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    VS-EBU15006-F4.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    150A
  • Pinge - jaotus
    PowerTab®
  • Seeria
    FRED Pt®
  • RoHS staatus
    Tube
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    PowerTab®
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    100ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    11 Weeks
  • Tootja Partii number
    VS-EBU15006-F4
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 600V 150A Through Hole PowerTab®
  • Dioodide seadistamine
    8µA @ 600V
  • Kirjeldus
    DIODE GP 600V 150A POWERTAB
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    1.63V @ 150A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    600V
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "VS-EBU15006-F4" seotud tooted.
VS-EPH3006-F3

VS-EPH3006-F3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EBU15006HF4

VS-EBU15006HF4

Kirjeldus: DIODE GP 600V 150A POWERTAB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-E4TU2006TFP-N3

VS-E4TU2006TFP-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EPH3006L-N3

VS-EPH3006L-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EMF050J60U

VS-EMF050J60U

Kirjeldus: IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EPH3006HN3

VS-EPH3006HN3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PH3006LHN3

VS-E4PH3006LHN3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PH6006L-N3

VS-E4PH6006L-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PU3006L-N3

VS-E4PU3006L-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PH6006LHN3

VS-E4PH6006LHN3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EMG050J60N

VS-EMG050J60N

Kirjeldus: IGBT 600V 88A 338W EMIPAK2

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

Kirjeldus: IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PH3006L-N3

VS-E4PH3006L-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EPH3006-N3

VS-EPH3006-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PU3006LHN3

VS-E4PU3006LHN3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EPH3006L-M3

VS-EPH3006L-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PU6006LHN3

VS-E4PU6006LHN3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-EBU8006HF4

VS-EBU8006HF4

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 80A POWERTAB

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-E4TU2006FP-N3

VS-E4TU2006FP-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 20A TO220-2

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-E4PU6006L-N3

VS-E4PU6006L-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.