Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Dioodid - alaldid - üksikud > VS-HFA06TB120-N3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4194287VS-HFA06TB120-N3 piltVishay Semiconductor Diodes Division

VS-HFA06TB120-N3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.914
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    VS-HFA06TB120-N3
  • Tootja / bränd
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    DIODE HEXFRED 6A 1200V TO-220
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    VS-HFA06TB120-N3.pdf
  • Pinge - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Pinge - Edasi (Vf) (Max) @ Kui
    6A
  • Pinge - jaotus
    TO-220AC
  • Seeria
    HEXFRED®
  • RoHS staatus
    Tube
  • Pöörde taastamise aeg (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistentsus @ Kui, F
    -
  • Polarisatsioon
    TO-220-2
  • Muud nimed
    VSHFA06TB120N3
  • Töötemperatuur - ühenduskoht
    80ns
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    13 Weeks
  • Tootja Partii number
    VS-HFA06TB120-N3
  • Laiendatud kirjeldus
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 6A Through Hole TO-220AC
  • Dioodide seadistamine
    5µA @ 1200V
  • Kirjeldus
    DIODE HEXFRED 6A 1200V TO-220
  • Praegune - tagasikäik @ Vr
    3V @ 6A
  • Jooksev - Keskmine puhastatud (Io) (ühe dioodi kohta)
    1200V (1.2kV)
  • Mahtuvus @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "VS-HFA06TB120-N3" seotud tooted.
VS-HFA06TB120SR-M3

VS-HFA06TB120SR-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120-M3

VS-HFA06TB120-M3

Kirjeldus: DIODE FRED 1.2KV 6A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120STRLP

VS-HFA06TB120STRLP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120STRRP

VS-HFA06TB120STRRP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120S-M3

VS-HFA06TB120S-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06PB120-N3

VS-HFA06PB120-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120SL-M3

VS-HFA06TB120SL-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120SPBF

VS-HFA06TB120SPBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA08PB120-N3

VS-HFA08PB120-N3

Kirjeldus: DIODE HEXFRED 8A 1200V TO-247AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-HFA06PB120PBF

VS-HFA06PB120PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO247AC

Tootjad: Vishay Semiconductor Diodes Division
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60STRLP

VS-HFA04TB60STRLP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA08PB60-N3

VS-HFA08PB60-N3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 8A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60SL-M3

VS-HFA04TB60SL-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60SR-M3

VS-HFA04TB60SR-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60S-M3

VS-HFA04TB60S-M3

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60PBF

VS-HFA04TB60PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA06TB120PBF

VS-HFA06TB120PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60STRRP

VS-HFA04TB60STRRP

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA04TB60SPBF

VS-HFA04TB60SPBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 600V 4A D2PAK

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
VS-HFA08PB120PBF

VS-HFA08PB120PBF

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO247AC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.