Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > SIA431DJ-T1-GE3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
524204SIA431DJ-T1-GE3 piltVishay Siliconix

SIA431DJ-T1-GE3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.228
6000+
$0.213
15000+
$0.205
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    SIA431DJ-T1-GE3
  • Tootja / bränd
    Vishay / Siliconix
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    SIA431DJ-T1-GE3.pdf
  • ECAD -mudel
  • Pinge - test
    1700pF @ 10V
  • Pinge - jaotus
    PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    25 mOhm @ 6.5A, 4.5V
  • Vgs (max)
    1.5V, 4.5V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seeria
    TrenchFET®
  • RoHS staatus
    Tape & Reel (TR)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12A (Tc)
  • Polarisatsioon
    PowerPAK® SC-70-6
  • Muud nimed
    SIA431DJ-T1-GE3-ND
    SIA431DJ-T1-GE3TR
    SIA431DJT1GE3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    24 Weeks
  • Tootja Partii number
    SIA431DJ-T1-GE3
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    60nC @ 8V
  • IGBT tüüp
    ±8V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    850mV @ 250µA
  • FET funktsioon
    P-Channel
  • Laiendatud kirjeldus
    P-Channel 20V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
  • Vooluallikas (Vdss)
    -
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    20V
  • Mahutite suhe
    3.5W (Ta), 19W (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "SIA431DJ-T1-GE3" seotud tooted.
SIA427ADJ-T1-GE3

SIA427ADJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA440DJ-T1-GE3

SIA440DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA418DJ-T1-GE3

SIA418DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA433EDJ-T1-GE3

SIA433EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA429DJT-T1-GE3

SIA429DJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA421DJ-T1-GE3

SIA421DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Vishay Siliconix
Laos
RFQ
SIA430DJ-T1-GE3

SIA430DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA436DJ-T1-GE3

SIA436DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA425EDJ-T1-GE3

SIA425EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA426DJ-T1-GE3

SIA426DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA437DJ-T1-GE3

SIA437DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 29.7A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA443DJ-T1-E3

SIA443DJ-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA419DJ-T1-GE3

SIA419DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA438EDJ-T1-GE3

SIA438EDJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 6A PPAK SC70-6L

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA443DJ-T1-GE3

SIA443DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA430DJT-T1-GE3

SIA430DJT-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
SIA441DJ-T1-GE3

SIA441DJ-T1-GE3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 12A SC-70

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.