Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W631GG8KB-12 TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3634587W631GG8KB-12 TR piltWinbond Electronics Corporation

W631GG8KB-12 TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W631GG8KB-12 TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.W631GG8KB-12 TR.pdf
    2.W631GG8KB-12 TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3
  • Pakkuja seadme pakett
    78-WBGA (10.5x8)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    78-TFBGA
  • Muud nimed
    W631GG8KB-12 TR-ND
    W631GG8KB-12TR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    1Gb (128M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
  • Kellade sagedus
    800MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W631GG8KB-12 TR" seotud tooted.
W631GG8KB12I TR

W631GG8KB12I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB-11 TR

W631GG8KB-11 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB12I

W631GG8KB12I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB-15 TR

W631GG8KB-15 TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB15I

W631GG8KB15I

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB11I TR

W631GG6MB11I TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB12J

W631GG6MB12J

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB15I TR

W631GG8KB15I TR

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB-15

W631GG8KB-15

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB15J

W631GG6MB15J

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8MB-12

W631GG8MB-12

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB15I TR

W631GG6MB15I TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB15I

W631GG6MB15I

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8MB-11 TR

W631GG8MB-11 TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB-11

W631GG8KB-11

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8MB-12 TR

W631GG8MB-12 TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB12I

W631GG6MB12I

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG6MB12I TR

W631GG6MB12I TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8KB-12

W631GG8KB-12

Kirjeldus: IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GG8MB-11

W631GG8MB-11

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.