Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W632GG6AB-12
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3100304

W632GG6AB-12

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W632GG6AB-12
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (128M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Kellade sagedus
    800MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W632GG6AB-12" seotud tooted.
W632GG6KB-18

W632GG6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 533MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-12 TR

W632GG6KB-12 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB12I

W631GU8MB12I

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB15I

W631GU8MB15I

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6AB-15

W632GG6AB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB15I TR

W631GU8MB15I TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB11I

W632GG6KB11I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB12I TR

W631GU8MB12I TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-11 TR

W632GG6KB-11 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB11I TR

W631GU8MB11I TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-15

W632GG6KB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-15 TR

W632GG6KB-15 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB11I

W631GU8MB11I

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB-15

W631GU8MB-15

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-09

W632GG6KB-09

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-11

W632GG6KB-11

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB-12 TR

W631GU8MB-12 TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB-12

W631GU8MB-12

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W631GU8MB-15 TR

W631GU8MB-15 TR

Kirjeldus: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB-12

W632GG6KB-12

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.