Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W632GG6MB-12 TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5512777W632GG6MB-12 TR piltWinbond Electronics Corporation

W632GG6MB-12 TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$4.759
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W632GG6MB-12 TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    1.W632GG6MB-12 TR.pdf
    2.W632GG6MB-12 TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3
  • Pakkuja seadme pakett
    96-VFBGA (13x7.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    96-VFBGA
  • Muud nimed
    W632GG6MB-12 TR-ND
    W632GG6MB-12TR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (128M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns 96-VFBGA (13x7.5)
  • Kellade sagedus
    800MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W632GG6MB-12 TR" seotud tooted.
W632GG8AB-12

W632GG8AB-12

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG8AB-15

W632GG8AB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB11I

W632GG6MB11I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB-09

W632GG6MB-09

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB15I TR

W632GG6KB15I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB15J

W632GG6KB15J

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG8AB-11

W632GG8AB-11

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB12I

W632GG6KB12I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB15I

W632GG6MB15I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB12I

W632GG6MB12I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB12I TR

W632GG6MB12I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB12I TR

W632GG6KB12I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB-15

W632GG6MB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB-11

W632GG6MB-11

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB15I

W632GG6KB15I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB15I TR

W632GG6MB15I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB-15 TR

W632GG6MB-15 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6KB12J

W632GG6KB12J

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB-11 TR

W632GG6MB-11 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GG6MB-12

W632GG6MB-12

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.