Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W632GU8AB-12
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6878059

W632GU8AB-12

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W632GU8AB-12
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    1.283 V ~ 1.45 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR3
  • Seeria
    -
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 95°C (TC)
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (128M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 800MHz 20ns
  • Kellade sagedus
    800MHz
  • Juurdepääsuaeg
    20ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W632GU8AB-12" seotud tooted.
W632GU8KB12I TR

W632GU8KB12I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB12I

W632GU6MB12I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB-12

W632GU6MB-12

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KT-12

W632GU8KT-12

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB-12 TR

W632GU8KB-12 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB15I TR

W632GU8KB15I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB12I TR

W632GU6MB12I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB15I

W632GU6MB15I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB-12 TR

W632GU6MB-12 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB15I TR

W632GU6MB15I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB-15

W632GU8KB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB-15 TR

W632GU8KB-15 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB-15 TR

W632GU6MB-15 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB-12

W632GU8KB-12

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8AB-11

W632GU8AB-11

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB15I

W632GU8KB15I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB11I

W632GU6MB11I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8KB12I

W632GU8KB12I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU6MB-15

W632GU6MB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W632GU8AB-15

W632GU8AB-15

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.