Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W9412G6KH-5I TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6688932W9412G6KH-5I TR piltWinbond Electronics Corporation

W9412G6KH-5I TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1000+
$1.978
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W9412G6KH-5I TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W9412G6KH-5I TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR
  • Pakkuja seadme pakett
    66-TSOP II
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Muud nimed
    W9412G6KH-5I TR-ND
    W9412G6KH-5ITR
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (8M x 16)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    50ns

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "W9412G6KH-5I TR" seotud tooted.
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W94-X113-30

W94-X113-30

Kirjeldus: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W94-X112-30V

W94-X112-30V

Kirjeldus: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6KH-5I TR

W9425G6KH-5I TR

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.