Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W972GG8JB25I
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3792285

W972GG8JB25I

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W972GG8JB25I
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W972GG8JB25I.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-WBGA (11x11.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    2Gb (256M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 200MHz 400ps 60-WBGA (11x11.5)
  • Kellade sagedus
    200MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W972GG8JB25I" seotud tooted.
W972GG8JB-25 TR

W972GG8JB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG6JB25I TR

W972GG6JB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6KB25I TR

W9751G6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6KB-18

W9751G6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-25

W972GG8JB-25

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-18

W972GG8JB-18

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6IB-25

W9751G6IB-25

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG6KB-25

W972GG6KB-25

Kirjeldus: IC DDR2 SDRAM 2GBIT 2.5NS 84BGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G8KB-25

W9751G8KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-3I TR

W972GG8JB-3I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB25I TR

W972GG8JB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6KB-18 TR

W9751G6KB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6KB-25

W9751G6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-3 TR

W972GG8JB-3 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-18 TR

W972GG8JB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-3

W972GG8JB-3

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W972GG8JB-3I

W972GG8JB-3I

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9751G6KB-25 TR

W9751G6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.