Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integraallülitused (IC) > Mälu > W9751G8KB25I
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4533596W9751G8KB25I piltWinbond Electronics Corporation

W9751G8KB25I

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
209+
$3.383
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W9751G8KB25I
  • Tootja / bränd
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    15ns
  • Pinge - varustus
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM - DDR2
  • Pakkuja seadme pakett
    60-WBGA (8x12.5)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tray
  • Pakett / kott
    60-TFBGA
  • Töötemperatuur
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    512Mb (64M x 8)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 400MHz 400ps 60-WBGA (8x12.5)
  • Kellade sagedus
    400MHz
  • Juurdepääsuaeg
    400ps
W978H2KBVX2I

W978H2KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W979H2KBQX2E

W979H2KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6KB-18 TR

W9751G6KB-18 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H6KBQX2E

W978H6KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G8KB-25

W9751G8KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H2KBQX2I

W978H2KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6KB-25

W9751G6KB-25

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G8KB-25 TR

W9751G8KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H2KBQX2E

W978H2KBQX2E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6KB25I

W9751G6KB25I

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6KB25I TR

W9751G6KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6KB-25 TR

W9751G6KB-25 TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6IB-25

W9751G6IB-25

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G6KB-18

W9751G6KB-18

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W972GG8JB25I TR

W972GG8JB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H6KBQX2I

W978H6KBQX2I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 168WFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W9751G8KB25I TR

W9751G8KB25I TR

Kirjeldus: IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

Kirjeldus: IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi