Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Integreeritud vooluringid (IC) > Mälu > W9812G2KB-6 TR
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5815620W9812G2KB-6 TR piltWinbond Electronics Corporation

W9812G2KB-6 TR

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$4.84
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    W9812G2KB-6 TR
  • Tootja / bränd
    Winbond Electronics Corporation
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    W9812G2KB-6 TR.pdf
  • Kirjutage tsükli aeg - sõna, lehekülg
    -
  • Pinge - varustus
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnoloogia
    SDRAM
  • Pakkuja seadme pakett
    90-TFBGA (8x13)
  • Seeria
    -
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    90-TFBGA
  • Muud nimed
    W9812G2KB-6 TR-ND
    W9812G2KB-6TR
  • Töötemperatuur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Mälu tüüp
    Volatile
  • Mälu suurus
    128Mb (4M x 32)
  • Mäluliides
    Parallel
  • Mäluportaal
    DRAM
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Täpsem kirjeldus
    SDRAM Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Kellade sagedus
    166MHz
  • Juurdepääsuaeg
    5ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "W9812G2KB-6 TR" seotud tooted.
W9816G6IH-6

W9816G6IH-6

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6KH-6

W9812G6KH-6

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6IH-6

W9812G6IH-6

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6JH-6I

W9812G6JH-6I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9816G6IH-6I

W9816G6IH-6I

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6JH-5

W9812G6JH-5

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6KH-5

W9812G6KH-5

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6KH-6I TR

W9812G6KH-6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6JB-6I TR

W9812G6JB-6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6JB-6I

W9812G6JB-6I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6JB-6 TR

W9812G6JB-6 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G2KB-6

W9812G2KB-6

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6KH-6 TR

W9812G6KH-6 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6KH-6I

W9812G6KH-6I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6KH-5 TR

W9812G6KH-5 TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G2KB-6I

W9812G2KB-6I

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G6JB-6

W9812G6JB-6

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9816G6JB-6

W9816G6JB-6

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9812G2KB-6I TR

W9812G2KB-6I TR

Kirjeldus: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
W9816G6IB-6

W9816G6IB-6

Kirjeldus: IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA

Tootjad: Winbond Electronics Corporation
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.