Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Line Card > SemiQ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik

SemiQ

Küsi hinnapakkumist
SemiQ

Sissejuhatus

SemiQ - 2007. aastal asutatud Global Power Technologies Group, Inc. (edaspidi "GPTG") on integreeritud arendus- ja tootmisettevõte, mis on spetsialiseerunud ränikarbiidi (SiC) tehnoloogial põhinevatele toodetele. Need tooted on põhivõrgu jõuelektroonika ja energiatööstuse jaoks tulevastel aastatel, kus madala hinnaga, väga tõhusa elektritootmise, muundamise ja ülekande jaoks on vaja kõrgtehnoloogilisi tehnoloogiaid.

Seotud uudised

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovation in Electronics Technology

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electronics industry

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its Future Development

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12
Kategooria
7
Tooted
373

Diskreetse pooljuhttooted

Seotud tooted

GP1M016A025FG

GP1M016A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 16A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D012A065A

GP2D012A065A

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSID080A120B1A5

GSID080A120B1A5

Kirjeldus: SILICON IGBT MODULES

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD080A006S1-D3

GSXD080A006S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 60V 80A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSID150A120T2C1

GSID150A120T2C1

Kirjeldus: SILICON IGBT MODULES

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GCMS020A120B1H1

GCMS020A120B1H1

Kirjeldus: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA030A120MN-FD

GPA030A120MN-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 329W TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP60P120B

GDP60P120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTT 1.2KV 60A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS080A120S1-E1

GHIS080A120S1-E1

Kirjeldus: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D020A120A

GP2D020A120A

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M008A050HG

GP1M008A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M013A050FH

GP1M013A050FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP24P060B

GDP24P060B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXF030A120S1-D3

GSXF030A120S1-D3

Kirjeldus: DIODE FAST REC 1200V 30A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP03S060C

GDP03S060C

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS060A120S-A2

GHIS060A120S-A2

Kirjeldus: IGBT BUCK CHOP 1200V 120A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXF120A120S1-D3

GSXF120A120S1-D3

Kirjeldus: DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A060H

GP1M010A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS040A060S-A2

GHIS040A060S-A2

Kirjeldus: IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS060A060S-A1

GHIS060A060S-A1

Kirjeldus: IGBT BOOST CHOP 600V 120A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS040A060S-A1

GHIS040A060S-A1

Kirjeldus: IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M015A050H

GP1M015A050H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP15S120A

GDP15S120A

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP15S120B

GDP15S120B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1200V 15A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060PG

GP2M002A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GHIS060A120S1-E1

GHIS060A120S1-E1

Kirjeldus: SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD060A018S1-D3

GSXD060A018S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 180V 60A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP36Z060B

GDP36Z060B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 600V 36A TO247-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D040A120U

GP2D040A120U

Kirjeldus: DIODE ARRAY SCHOTTKY 1200V TO247

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GDP48Y060B

GDP48Y060B

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSID300A125S5C1

GSID300A125S5C1

Kirjeldus: IGBT MODULE 1250V 600A CHASSIS

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2M004A065FG

GP2M004A065FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D010A065C

GP2D010A065C

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 650V 30A TO252

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GPA030A120I-FD

GPA030A120I-FD

Kirjeldus: IGBT 1200V 60A 329W TO247

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXD050A008S1-D3

GSXD050A008S1-D3

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 80V 50A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D005A120C

GP2D005A120C

Kirjeldus: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GP2D030A120U

GP2D030A120U

Kirjeldus: DIODE SIC 1200V 50A TO24

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
GSXF100A040S1-D3

GSXF100A040S1-D3

Kirjeldus: DIODE FAST REC 400V 100A SOT227

Tootjad: Global Power Technologies Group
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.