Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > GP2M004A065FG

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5407251

GP2M004A065FG pilt

Global Power Technologies Group

GP2M004A065FG

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

GP2M004A065FG
Tootja / bränd

SemiQ
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 650V 4A TO220F
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

GP2M004A065FG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (max)

±30V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-220F
Seeria

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 Ohm @ 2A, 10V
Voolukatkestus (max)

32.8W (Tc)
Pakend

Tube
Pakett / kott

TO-220-3 Full Pack
Muud nimed

1560-1195-1
1560-1195-1-ND
1560-1195-5
Töötemperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Through Hole
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

642pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

10V
Vooluallikas (Vdss)

650V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 650V 4A (Tc) 32.8W (Tc) Through Hole TO-220F
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

Saatmine

Makse

Järgnev on "GP2M004A065FG" seotud tooted.

GP2M005A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A065CG

GP2M004A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060CG

GP2M005A060CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M002A065PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A065HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A060FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M002A065FG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220F

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A060HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M002A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2A

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M002A065HG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO220

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M005A050PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A065PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M004A060PG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Tootjad: Global Power Technologies Group

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.