Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > 3LN01C-TB-E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
44479683LN01C-TB-E piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    3LN01C-TB-E
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    3LN01C-TB-E.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    3-CP
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Voolukatkestus (max)
    250mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Muud nimed
    3LN01C-TB-E-ND
    3LN01C-TB-EOSTR
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "3LN01C-TB-E" seotud tooted.
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
STI100N10F7

STI100N10F7

Kirjeldus: MOSFET

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
IRF7240PBF

IRF7240PBF

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
TPCA8055-H,LQ(M

TPCA8055-H,LQ(M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV

Tootjad: Toshiba Semiconductor and Storage
Laos
RFQ
DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13

Kirjeldus: MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
FK3906010L

FK3906010L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

Tootjad: Panasonic
Laos
RFQ
FCPF190N65S3R0L

FCPF190N65S3R0L

Kirjeldus: SUPERFET3 650V TO220F PKG

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
BUK9Y41-80E,115

BUK9Y41-80E,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

Kirjeldus: 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Tootjad: Luminary Micro / Texas Instruments
Laos
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.