Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > 3LN01M-TL-E
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6108543LN01M-TL-E piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01M-TL-E

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    3LN01M-TL-E
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 0.15A
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    3LN01M-TL-E.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.3V @ 100µA
  • Vgs (max)
    ±10V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-70/MCPH3
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Voolukatkestus (max)
    150mW (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    SC-70, SOT-323
  • Muud nimed
    3LN01M-TL-EOSCT
  • Töötemperatuur
    150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70/MCPH3
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "3LN01M-TL-E" seotud tooted.
SI1499DH-T1-E3

SI1499DH-T1-E3

Kirjeldus: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
PHM15NQ20T,518

PHM15NQ20T,518

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON

Tootjad: NXP Semiconductors / Freescale
Laos
RFQ
STP200N6F3

STP200N6F3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 120A TO220

Tootjad: STMicroelectronics
Laos
RFQ
PMT21EN,115

PMT21EN,115

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 7.4A SC-73

Tootjad: Nexperia
Laos
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
3LN01C-TB-E

3LN01C-TB-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
AON6450

AON6450

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 9A 8DFN

Tootjad: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Laos
RFQ
NTMFS4846NT1G

NTMFS4846NT1G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA2

IPB100N06S2L05ATMA2

Kirjeldus: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Tootjad: International Rectifier (Infineon Technologies)
Laos
RFQ
IRLZ24L

IRLZ24L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 17A TO-262

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
TSM150P03PQ33 RGG

TSM150P03PQ33 RGG

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN

Tootjad: TSC (Taiwan Semiconductor)
Laos
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
2N7002WT3G

2N7002WT3G

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-323

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3

Tootjad: Diodes Incorporated
Laos
RFQ
2N6661

2N6661

Kirjeldus: MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Tootjad: Electro-Films (EFI) / Vishay
Laos
RFQ
FDC2612_F095

FDC2612_F095

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.