Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCB11N60FTM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5941366FCB11N60FTM piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCB11N60FTM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCB11N60FTM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FCB11N60FTM.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK
  • Seeria
    SuperFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FCB11N60FTMCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    600V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)
  • Baasosa number
    FCB11N60

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCB11N60FTM" seotud tooted.
FCB21R0J

FCB21R0J

Kirjeldus: RES 1.00 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB199N65S3

FCB199N65S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB210RJ

FCB210RJ

Kirjeldus: RES 10 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB11N60TM

FCB11N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB20N60-F085

FCB20N60-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB070N65S3

FCB070N65S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-0625M

FCB-405-0625M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB-405-0617M

FCB-405-0617M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB110N65F

FCB110N65F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-0621M

FCB-405-0621M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB2100RJ

FCB2100RJ

Kirjeldus: RES 100 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB20N60TM

FCB20N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-BZ4

FCB-405-BZ4

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB20N60F-F085

FCB20N60F-F085

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-0624M

FCB-405-0624M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB-405-0620M

FCB-405-0620M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB-405-0521M

FCB-405-0521M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB-405-0622M

FCB-405-0622M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB20N60FTM

FCB20N60FTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB21K0J

FCB21K0J

Kirjeldus: RES 1.00K OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.