Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FCB199N65S3
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2351917FCB199N65S3 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCB199N65S3

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.715
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FCB199N65S3
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 650V 14A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    FCB199N65S3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1.4mA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263)
  • Seeria
    SuperFET® III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    199 mOhm @ 7A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    98W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1225pF @ 400V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    650V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 650V 14A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FCB199N65S3" seotud tooted.
FCB2220RJ

FCB2220RJ

Kirjeldus: RES 220 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB222RJ

FCB222RJ

Kirjeldus: RES 22.0 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB11N60FTM

FCB11N60FTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB070N65S3

FCB070N65S3

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-BZ4

FCB-405-BZ4

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB20N60F-F085

FCB20N60F-F085

Kirjeldus: MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB20N60FTM

FCB20N60FTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB20N60-F085

FCB20N60-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-0621M

FCB-405-0621M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB21K0J

FCB21K0J

Kirjeldus: RES 1.00K OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB-405-0620M

FCB-405-0620M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB-405-0625M

FCB-405-0625M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: TE Connectivity Aerospace, Defense and Marine
Laos
RFQ
FCB11N60TM

FCB11N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB110N65F

FCB110N65F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB21R0J

FCB21R0J

Kirjeldus: RES 1.00 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB2100RJ

FCB2100RJ

Kirjeldus: RES 100 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB-405-0622M

FCB-405-0622M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB210RJ

FCB210RJ

Kirjeldus: RES 10 OHM 2W 5% RADIAL

Tootjad: AMP Connectors / TE Connectivity
Laos
RFQ
FCB20N60TM

FCB20N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FCB-405-0624M

FCB-405-0624M

Kirjeldus: RELAY GEN PURPOSE 4PDT 5A 28V

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.