Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB082N15A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1409774FDB082N15A piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB082N15A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$5.97
10+
$5.33
100+
$4.371
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB082N15A
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB082N15A.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.2 mOhm @ 75A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    294W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB082N15AFSCT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    6040pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    84nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 150V 117A (Tc) 294W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    117A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB082N15A" seotud tooted.
FDB088N08_F141

FDB088N08_F141

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB088N08

FDB088N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0630N1507L

FDB0630N1507L

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB10AN06A0

FDB10AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB070AN06A0-F085

FDB070AN06A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB047N10

FDB047N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB075N15A-F085

FDB075N15A-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB110N15A

FDB110N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB120N10

FDB120N10

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB075N15A

FDB075N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB070AN06A0

FDB070AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB0690N1507L

FDB0690N1507L

Kirjeldus: 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB075N15A_SN00284

FDB075N15A_SN00284

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB060AN08A0

FDB060AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB050AN06A0

FDB050AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.