Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB14AN06LA0
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2104256FDB14AN06LA0 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB14AN06LA0

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB14AN06LA0
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB14AN06LA0.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.6 mOhm @ 67A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    125W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2900pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 60V 10A (Ta), 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 67A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB14AN06LA0" seotud tooted.
FDB2532

FDB2532

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB150N10

FDB150N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB120N10

FDB120N10

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB110N15A

FDB110N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB082N15A

FDB082N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB10AN06A0

FDB10AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Kirjeldus: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB088N08

FDB088N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB088N08_F141

FDB088N08_F141

Kirjeldus: MOSFET N-CHANNEL 75V 120A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.