Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB150N10
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
767439FDB150N10 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB150N10

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.41
10+
$3.049
100+
$2.50
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB150N10
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB150N10.pdf
  • ECAD -mudel
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    15 mOhm @ 49A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    110W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB150N10CT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4760pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    69nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    57A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB150N10" seotud tooted.
FDB2552

FDB2552

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB120N10

FDB120N10

Kirjeldus: MOSFET NCH 100V 74A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50UTM_WS

FDB12N50UTM_WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB14N30TM

FDB14N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50TM

FDB12N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB14AN06LA0

FDB14AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Kirjeldus: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB12N50FTM-WS

FDB12N50FTM-WS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB14AN06LA0-F085

FDB14AN06LA0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB13AN06A0

FDB13AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 62A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2532

FDB2532

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB110N15A

FDB110N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Kirjeldus: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB10AN06A0

FDB10AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustUudisedSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.