Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB2570
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
447724FDB2570 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB2570

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB2570
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB2570.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 11A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    93W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Töötemperatuur
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1911pF @ 75V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    150V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 150V 22A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    22A (Ta)

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB2570" seotud tooted.
FDB3502

FDB3502

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB20AN06A0

FDB20AN06A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Kirjeldus: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB16AN08A0

FDB16AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2614

FDB2614

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2670

FDB2670

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2552

FDB2552

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632

FDB3632

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB20N50F

FDB20N50F

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB1D7N10CL7

FDB1D7N10CL7

Kirjeldus: FET 100V 1.7 MOHM D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB15N50

FDB15N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2710

FDB2710

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2572

FDB2572

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2532

FDB2532

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.