Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB28N30TM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5215190FDB28N30TM piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB28N30TM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.291
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB28N30TM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB28N30TM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK
  • Seeria
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    129 mOhm @ 14A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    250W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB28N30TM-ND
    FDB28N30TMTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    27 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2250pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    300V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 300V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    28A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB28N30TM" seotud tooted.
FDB3682

FDB3682

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2552

FDB2552

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3652

FDB3652

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3672

FDB3672

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Kirjeldus: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB24AN06LA0

FDB24AN06LA0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2614

FDB2614

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2570

FDB2570

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3652-F085

FDB3652-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2532

FDB2532

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2532-F085

FDB2532-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3672-F085

FDB3672-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3502

FDB3502

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2670

FDB2670

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2572

FDB2572

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632

FDB3632

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2710

FDB2710

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.