Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB3652-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
2058594FDB3652-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB3652-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$3.03
10+
$2.733
100+
$2.196
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB3652-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB3652-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 61A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    150W (Tc)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB3652-F085CT
    FDB3652_F085CT
    FDB3652_F085CT-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2880pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    100V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta), 61A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB3652-F085" seotud tooted.
FDB3672-F085

FDB3672-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2670

FDB2670

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632

FDB3632

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB42AN15A0

FDB42AN15A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3682

FDB3682

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB390N15A

FDB390N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB38N30U

FDB38N30U

Kirjeldus: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2710

FDB2710

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB44N25TM

FDB44N25TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3502

FDB3502

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3672

FDB3672

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB42AN15A0-F085

FDB42AN15A0-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB2614

FDB2614

Kirjeldus: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3860

FDB3860

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB4020P

FDB4020P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB3652

FDB3652

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.