Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

*Ettevõtte nimi
*Nimetus
*Tiitel

*E-posti aadress
*Telefoninumber

*Riik
*Kontaktiaken
*Sündmuse kuupäev

*Sõnum

Electronica 2024 külastajatele

Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.

Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB8870

RFQs/tellimus (0)

Eesti Vabariik

Eesti Vabariik

5027712

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos

800+

$1.022

Päring veebis

Spetsifikatsioonid

Osa number

FDB8870
Tootja / bränd

AMI Semiconductor/onsemi
Varukogus

Laos
Kirjeldus

MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
Lead Free status / RoHS staatus

Plii vaba / RoHS vastavuses
Andmelehed

FDB8870.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (max)

±20V
Tehnoloogia

MOSFET (Metal Oxide)
Pakkuja seadme pakett

TO-263AB
Seeria

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 35A, 10V
Voolukatkestus (max)

160W (Tc)
Pakend

Tape & Reel (TR)
Pakett / kott

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Muud nimed

FDB8870-ND
FDB8870FSTR
Töötemperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Paigaldus tüüp

Surface Mount
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)

1 (Unlimited)
Tootja Standardne pliiaeg

9 Weeks
Lead Free status / RoHS staatus

Lead free / RoHS Compliant
Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds

5200pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
FET tüüp

N-Channel
FET funktsioon

-
Ajami pinge (max rds on, min rds on)

4.5V, 10V
Vooluallikas (Vdss)

30V
Täpsem kirjeldus

N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C

23A (Ta), 160A (Tc)

Seotud uudised
Laevandus
Makse

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

Saatmine

Makse

Järgnev on "FDB8870" seotud tooted.

FDB9403-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB86569-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB9403L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB86366-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB86363-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8860-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8870-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB86563-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8896

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8896-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB86566-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8878

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8874

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8832

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8860

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8832-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

FDB8876

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Laos

Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.

Järgne meile

Tingimused Rikkumispoliitika Taotleda pakkumist Meist Võta meiega ühendust Saidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.