Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB8870-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
4185690FDB8870-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8870-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.228
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB8870-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB8870-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-263AB
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 35A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    160W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB8870-F085TR
    FDB8870_F085
    FDB8870_F085-ND
    FDB8870_F085TR
    FDB8870_F085TR-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    5200pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    132nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 23A (Ta), 160A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    23A (Ta), 160A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB8870-F085" seotud tooted.
FDB8876

FDB8876

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8878

FDB8878

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB86569-F085

FDB86569-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403L-F085

FDB9403L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8880

FDB8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8832

FDB8832

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8860

FDB8860

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9406-F085

FDB9406-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8896-F085

FDB8896-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB86563-F085

FDB86563-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB86366-F085

FDB86366-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8870

FDB8870

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB86566-F085

FDB86566-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8832-F085

FDB8832-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8896

FDB8896

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB86363-F085

FDB86363-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8874

FDB8874

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8860-F085

FDB8860-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.