Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB9503L-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6366125FDB9503L-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB9503L-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$2.115
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB9503L-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
  • Andmelehed
    FDB9503L-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±16V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    333W (Tj)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB9503L_F085
    FDB9503L_F085-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Tootja Standardne pliiaeg
    52 Weeks
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    8320pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    255nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB9503L-F085" seotud tooted.
FDBL0150N60

FDBL0150N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9409-F085

FDB9409-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBL0120N40

FDBL0120N40

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8896

FDB8896

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9406-F085

FDB9406-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9409L-F085

FDB9409L-F085

Kirjeldus: NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 53H 8-3A-PN-K

FDBA 53H 8-3A-PN-K

Kirjeldus: FDBA 53H 8-3A-PN-K

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDB9406L-F085

FDB9406L-F085

Kirjeldus: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8880

FDB8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8896-F085

FDB8896-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBL0090N40

FDBL0090N40

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9506L-F085

FDB9506L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBL0110N60

FDBL0110N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 300A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBL0065N40

FDBL0065N40

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 50H 10-6 PN-K

FDBA 50H 10-6 PN-K

Kirjeldus: FDBA 50H 10-6 PN-K

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDB9403L-F085

FDB9403L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Kirjeldus: FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDBA 53H 8-98 PW-K

FDBA 53H 8-98 PW-K

Kirjeldus: FDBA 53H 8-98 PW-K

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.