Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDB9406-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
7006478FDB9406-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB9406-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$1.633
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDB9406-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDB9406-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263)
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.8 mOhm @ 80A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    176W (Tj)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FDB9406-F085TR
    FDB9406_F085
    FDB9406_F085TR
    FDB9406_F085TR-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    7710pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    138nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    40V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 40V 110A (Tc) 176W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDB9406-F085" seotud tooted.
FDB8874

FDB8874

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9409L-F085

FDB9409L-F085

Kirjeldus: NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8876

FDB8876

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8880

FDB8880

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9506L-F085

FDB9506L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 53H 8-98 PW-K

FDBA 53H 8-98 PW-K

Kirjeldus: FDBA 53H 8-98 PW-K

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDB9503L-F085

FDB9503L-F085

Kirjeldus: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 53H 8-3A-PN-K

FDBA 53H 8-3A-PN-K

Kirjeldus: FDBA 53H 8-3A-PN-K

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDB8878

FDB8878

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9403L-F085

FDB9403L-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Kirjeldus: FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9406L-F085

FDB9406L-F085

Kirjeldus: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBA 50H 10-6 PN-K

FDBA 50H 10-6 PN-K

Kirjeldus: FDBA 50H 10-6 PN-K

Tootjad: Agastat Relays / TE Connectivity
Laos
RFQ
FDB8896

FDB8896

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB9409-F085

FDB9409-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8896-F085

FDB8896-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDBL0065N40

FDBL0065N40

Kirjeldus: MOSFET N-CH 40V 300A H-PSOF8

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDB8870-F085

FDB8870-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.