Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDG327N
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1351851

FDG327N

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$0.82
10+
$0.718
100+
$0.554
500+
$0.41
1000+
$0.328
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDG327N
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDG327N.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-70-6
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    420mW (Ta)
  • Pakend
    Original-Reel®
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    FDG327NDKR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    423pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.3nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.8V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 1.5A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    1.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDG327N" seotud tooted.
FDG361N

FDG361N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG312P

FDG312P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG1024NZ

FDG1024NZ

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG311N

FDG311N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG314P

FDG314P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG329N

FDG329N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG315N

FDG315N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG316P

FDG316P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N

FDG6301N

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor/onsemi
Laos
RFQ
FDG328P

FDG328P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG410NZ

FDG410NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG330P

FDG330P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG.2B.326.CLAD82

FDG.2B.326.CLAD82

Kirjeldus: CONN PLUG MALE 26POS SOLDER CUP

Tootjad: LEMO
Laos
RFQ
FDG313N

FDG313N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG326P

FDG326P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG332PZ

FDG332PZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG313N_D87Z

FDG313N_D87Z

Kirjeldus: MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

Kirjeldus: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG327NZ

FDG327NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.