Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDG410NZ
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
1427475

FDG410NZ

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
3000+
$0.164
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDG410NZ
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDG410NZ.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±8V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    SC-70-6
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Voolukatkestus (max)
    420mW (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Muud nimed
    FDG410NZ-ND
    FDG410NZTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    42 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    535pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.2nC @ 4.5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    1.5V, 4.5V
  • Vooluallikas (Vdss)
    20V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 20V 2.2A (Ta) 420mW (Ta) Surface Mount SC-70-6
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    2.2A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip kuulutab välja 500 koondamist, restruktureerimis...

2024/12/4

Kvant: AI nõudlus on jätkuvalt tugev, pideva tellimuste vooga

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDG410NZ" seotud tooted.
FDG329N

FDG329N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N-F085

FDG6301N-F085

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG327NZ

FDG327NZ

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG327N

FDG327N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG326P

FDG326P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6302P

FDG6302P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG315N

FDG315N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N

FDG6301N

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor/onsemi
Laos
RFQ
FDG316P

FDG316P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG361N

FDG361N

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 0.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6303N_G

FDG6303N_G

Kirjeldus: INTEGRATED CIRCUIT

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG330P

FDG330P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6304P

FDG6304P

Kirjeldus: MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6303N_D87Z

FDG6303N_D87Z

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG328P

FDG328P

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N-F085P

FDG6301N-F085P

Kirjeldus: DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6301N_D87Z

FDG6301N_D87Z

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG6303N

FDG6303N

Kirjeldus: MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDG332PZ

FDG332PZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.