Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDH27N50
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
5783646FDH27N50 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDH27N50

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDH27N50
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 500V 27A TO-247
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDH27N50.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-247
  • Seeria
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    450W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-247-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    3550pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    67nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    500V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 500V 27A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDH27N50" seotud tooted.
FDH3595

FDH3595

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH055N15A

FDH055N15A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V TO-247-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300_T50R

FDH300_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300TR

FDH300TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH210N08

FDH210N08

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 210A TO-247-3

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH333

FDH333

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400_T50A

FDH400_T50A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300A_T50R

FDH300A_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH15N50

FDH15N50

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 15A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300A

FDH300A

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH047AN08A0

FDH047AN08A0

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH333_T50R

FDH333_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400TR

FDH400TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH3632

FDH3632

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 80A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400

FDH400

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300ATR

FDH300ATR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH038AN08A1

FDH038AN08A1

Kirjeldus: MOSFET N-CH 75V 80A TO-247

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH300

FDH300

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH333TR

FDH333TR

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDH400_T50R

FDH400_T50R

Kirjeldus: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.