Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDS6670A
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3433158FDS6670A piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6670A

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
1+
$1.08
10+
$0.941
100+
$0.726
500+
$0.538
1000+
$0.43
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDS6670A
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDS6670A.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±20V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 13A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Cut Tape (CT)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    FDS6670ACT
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    6 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    2220pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 5V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDS6670A" seotud tooted.
FDS6675

FDS6675

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6673AZ

FDS6673AZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6572A

FDS6572A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6575

FDS6575

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6375

FDS6375

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6576

FDS6576

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6614A

FDS6614A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6630A

FDS6630A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6673BZ

FDS6673BZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6570A

FDS6570A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6670AS

FDS6670AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679

FDS6679

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6672A

FDS6672A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6676AS

FDS6676AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6612A

FDS6612A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6574A

FDS6574A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675BZ

FDS6675BZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6609A

FDS6609A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6673BZ-F085

FDS6673BZ-F085

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675A

FDS6675A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.