Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FDS6673BZ-F085
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
6955111FDS6673BZ-F085 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6673BZ-F085

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
2500+
$0.507
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FDS6673BZ-F085
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FDS6673BZ-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    8-SO
  • Seeria
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    2.5W (Ta)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Muud nimed
    FDS6673BZ-F085TR
    FDS6673BZ_F085
    FDS6673BZ_F085-ND
    FDS6673BZ_F085TR
    FDS6673BZ_F085TR-ND
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tootja Standardne pliiaeg
    17 Weeks
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    4700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    124nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    30V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 30V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    14.5A (Ta)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FDS6673BZ-F085" seotud tooted.
FDS6673BZ

FDS6673BZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6612A

FDS6612A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6680AS

FDS6680AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6673AZ

FDS6673AZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6672A

FDS6672A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679AZ

FDS6679AZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675A

FDS6675A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6630A

FDS6630A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679Z

FDS6679Z

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6670A

FDS6670A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6676AS

FDS6676AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6670AS

FDS6670AS

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675

FDS6675

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6680

FDS6680

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6679

FDS6679

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6680A

FDS6680A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6576

FDS6576

Kirjeldus: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6614A

FDS6614A

Kirjeldus: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6609A

FDS6609A

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FDS6675BZ

FDS6675BZ

Kirjeldus: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.