Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQA7N80_F109
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3563259FQA7N80_F109 piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQA7N80_F109

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQA7N80_F109
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQA7N80_F109.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±30V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    TO-3PN
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 3.6A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    198W (Tc)
  • Pakend
    Tube
  • Pakett / kott
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Through Hole
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1850pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET tüüp
    N-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    800V
  • Täpsem kirjeldus
    N-Channel 800V 7.2A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    7.2A (Tc)

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung vähendab märkimisväärselt fotoresisti kasutamis...

2024/12/2

Vishay investeerib omandatud NWF vahvlisse 51 miljonit naela

2024/11/29

Trumpi tariifioht, Nvidia, Inteli tarnijad hindavad Mehhiko...

2024/11/28

Intel saab USA kiibiseaduse alusel 7,86 miljardit dollarit ...

2024/11/27

AMD käivitab Bangalore'i disainikeskuse teise etapi eh...

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 graafikakaardi GPU pindala on 744 mm ², mi...

2024/11/25

Anthropic saab Amazonilt veel 4 miljardit dollarit ja kaks ...

2024/11/23

Semi: IC müük suureneb kvartalis 12%, kasv peaks jät...

2024/11/22

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQA7N80_F109" seotud tooted.
FQA7N80C-F109

FQA7N80C-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA6N90_F109

FQA6N90_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA70N15

FQA70N15

Kirjeldus: MOSFET N-CH 150V 70A TO-3P

Tootjad: Fairchild/ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA85N06

FQA85N06

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 100A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N60

FQA7N60

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 7.7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90_F109

FQA7N90_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N90C-F109

FQA8N90C-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N80

FQA7N80

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7.2A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90M

FQA7N90M

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA6N90

FQA6N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 6.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA6N90C-F109

FQA6N90C-F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N100C

FQA8N100C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N80C

FQA8N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90

FQA7N90

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA70N10

FQA70N10

Kirjeldus: MOSFET N-CH 100V 70A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N90C

FQA8N90C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA6N80_F109

FQA6N80_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N90M_F109

FQA7N90M_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA7N80C

FQA7N80C

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQA8N80C_F109

FQA8N80C_F109

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 8.4A TO-3P

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.