Electronica 2024 külastajatele

Broneerige oma aeg kohe!

Vaja on vaid mõnda klõpsu oma koha broneerimiseks ja boksipileti saamiseks

Hall C5 Booth 220

Eelregistreerimine

Electronica 2024 külastajatele
Sa oled kõik registreerunud! Täname, et tegite kohtumise!
Saadame teile boksi piletid e -posti teel, kui oleme teie broneeringu kontrollinud.
Kodu > Tooted > Diskreetse pooljuhttooted > Transistorid - väljatransistorid, MOSFETid - üksik > FQB27P06TM
RFQs/tellimus (0)
Eesti Vabariik
Eesti Vabariik
3064657FQB27P06TM piltAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB27P06TM

Küsi hinnapakkumist

Palun täitke kõik nõutavad väljad koos oma kontaktandmega.Või saatke meile e -kiri:info@ftcelectronics.com

võrdlushind (USA dollarites)

Laos
800+
$0.945
Päring veebis
Spetsifikatsioonid
  • Osa number
    FQB27P06TM
  • Tootja / bränd
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Varukogus
    Laos
  • Kirjeldus
    MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Plii vaba / RoHS vastavuses
  • Andmelehed
    FQB27P06TM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (max)
    ±25V
  • Tehnoloogia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Pakkuja seadme pakett
    D²PAK (TO-263AB)
  • Seeria
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70 mOhm @ 13.5A, 10V
  • Voolukatkestus (max)
    3.75W (Ta), 120W (Tc)
  • Pakend
    Tape & Reel (TR)
  • Pakett / kott
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Muud nimed
    FQB27P06TM-ND
    FQB27P06TMTR
  • Töötemperatuur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Paigaldus tüüp
    Surface Mount
  • Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Lead Free status / RoHS staatus
    Lead free / RoHS Compliant
  • Sisendvõimsus (Ciss) (max) @ Vds
    1400pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • FET tüüp
    P-Channel
  • FET funktsioon
    -
  • Ajami pinge (max rds on, min rds on)
    10V
  • Vooluallikas (Vdss)
    60V
  • Täpsem kirjeldus
    P-Channel 60V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Jooksev - pidev äravool (Id) @ 25 ° C
    27A (Tc)

Teatatakse, et Kioxia saab noteerimise kinnituse 22. novemb...

2024/11/21

Torni pooljuhtide uusim räni optiline platvorm on pandud m...

2024/11/20

Tööstus taastub aeglaselt.Epitaksiaalse tarnija IQE kaalu...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Tarnija: suur arv RTX 50 seeria GPU komponente toimetatakse...

2024/11/18

TAIWAN, Hiina Semiconductori väljundväärtus kasvab sel a...

2024/11/17

Laiendades OLED -paneelide tootmist, investeerib LG Display...

2024/11/15

Amazon suurendab kohandatud AI -kiipide loomiseks jõupingu...

2024/11/14

Pegatroni Q3 puhaskasum oli 4,296 miljardit dollarit, mis o...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Lõuna -Korea plaanib kiibiseaduse kehtestada, et võidelda...

2024/11/13
Saatmine
Makse
Järgnev on "FQB27P06TM" seotud tooted.
FQB2N60TM

FQB2N60TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB20N06LTM

FQB20N06LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB22P10TM-F085

FQB22P10TM-F085

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB24N08TM

FQB24N08TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 80V 24A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB1P50TM

FQB1P50TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB22P10TM

FQB22P10TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N50TM

FQB2N50TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N90TM

FQB2N90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB30N06TM

FQB30N06TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N30TM

FQB2N30TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB25N33TM

FQB25N33TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2P40TM

FQB2P40TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 400V 2A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB27N25TM_AM002

FQB27N25TM_AM002

Kirjeldus: MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2P25TM

FQB2P25TM

Kirjeldus: MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2N80TM

FQB2N80TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB30N06LTM

FQB30N06LTM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB25N33TM-F085

FQB25N33TM-F085

Kirjeldus: MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB20N06TM

FQB20N06TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Kirjeldus: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Tootjad: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Laos
RFQ
Ainsa avaliku avaturu turustajana on meil ainulaadne kombinatsioon globaalsest juurdepääsu, töötleva tööstuse teadmiste ja tõestatud kvaliteedi kohta.Sellega saame luua kohandatud, otsast lõpuni tarneahela lahendusi elektroonikakomponentide hankimiseks ja varude haldamiseks.
Järgne meile
TingimusedRikkumispoliitikaTaotleda pakkumistMeistVõta meiega ühendustSaidikaart

Vali keel

Väljumiseks klõpsake ruumi

Praegune keel

Valige oma riik või piirkond.